RN1961(TE85L,F)

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Pièce du fabricant

RN1961(TE85L,F)

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Séries
-
En stock
2545
Fiches techniques en ligne
RN1961(TE85L,F) PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • résistance - base (r1):4.7kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):4.7kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 10mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • fréquence - transition:250MHz
  • puissance - maximum:200mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquet de dispositif de fournisseur:US6
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