IMB4AT110

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Pièce du fabricant

IMB4AT110

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
IMB4AT110 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • à transistors:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • résistance - base (r1):10kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):-
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
  • courant - coupure collecteur (max):-
  • fréquence - transition:250MHz
  • puissance - maximum:300mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-74, SOT-457
  • paquet de dispositif de fournisseur:SMT6
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