NSTB1002DXV5T1G

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Pièce du fabricant

NSTB1002DXV5T1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
NSTB1002DXV5T1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA, 200mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V, 40V
  • résistance - base (r1):47kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):47kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:250MHz
  • puissance - maximum:500mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-553
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-553
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