RN2711JE(TE85L,F)

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Pièce du fabricant

RN2711JE(TE85L,F)

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Séries
-
En stock
4000
Fiches techniques en ligne
RN2711JE(TE85L,F) PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • résistance - base (r1):10kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):-
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • fréquence - transition:200MHz
  • puissance - maximum:100mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-553
  • paquet de dispositif de fournisseur:ESV
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