EMG11T2R

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Pièce du fabricant

EMG11T2R

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Séries
-
En stock
11082
Fiches techniques en ligne
EMG11T2R PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • résistance - base (r1):2.2kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):47kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:250MHz
  • puissance - maximum:150mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • paquet de dispositif de fournisseur:EMT5
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