Name: RN1710JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: RN1710JE(TE85L,F)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: RN1710JE(TE85L,F)

Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

La description: NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7KΩ, Q1BER=

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés

Séries: -

En stock: 3968

Fiches techniques en ligne: -

RN1710JE(TE85L,F) Avis

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séries:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2):-

gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
fréquence - transition:250MHz
puissance - maximum:100mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-553
paquet de dispositif de fournisseur:ESV

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