IMH23T110

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Pièce du fabricant

IMH23T110

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Séries
-
En stock
300000
Fiches techniques en ligne
IMH23T110 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):600mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):20V
  • résistance - base (r1):4.7kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):-
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:820 @ 50mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:150mV @ 2.5mA, 50mA
  • courant - coupure collecteur (max):-
  • fréquence - transition:150MHz
  • puissance - maximum:300mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-74, SOT-457
  • paquet de dispositif de fournisseur:SMT6
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