NUS5530MNR2G

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Pièce du fabricant

NUS5530MNR2G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - usage spécial
Séries
-
En stock
105255
Fiches techniques en ligne
NUS5530MNR2G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN, P-Channel
  • applications:General Purpose
  • tension - nominale:35V PNP, 20V P-Channel
  • courant nominal (ampères):2A PNP, 3.9A P-Channel
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-VDFN Exposed Pad
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-DFN-EP (3.3x3.3)
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