IXXN110N65C4H1

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Pièce du fabricant

IXXN110N65C4H1

Fabricant
Wickmann / Littelfuse
La description
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
300
Fiches techniques en ligne
IXXN110N65C4H1 PDF
Enquête
  • séries:XPT™, GenX4™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:PT
  • configuration:Single
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):210 A
  • puissance - maximum:750 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 110A
  • courant - coupure collecteur (max):50 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:3.69 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SOT-227-4, miniBLOC
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-227B
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