FD200R12PT4B6BOSA1

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Pièce du fabricant

FD200R12PT4B6BOSA1

Fabricant
Rochester Electronics
La description
FD200R12 - IGBT MODULE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
86
Fiches techniques en ligne
FD200R12PT4B6BOSA1 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • configuration:Three Phase Inverter
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1.2 V
  • courant - collecteur (ic) (max):300 A
  • puissance - maximum:1.1 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 200A
  • courant - coupure collecteur (max):15 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:12.5 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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