BSM75GAR120DN2HOSA1

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Pièce du fabricant

BSM75GAR120DN2HOSA1

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IGBT MODULE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
5
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • configuration:Single Switch
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):105 A
  • puissance - maximum:625 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3V @ 15V, 75A
  • courant - coupure collecteur (max):1.4 mA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:5.5 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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