DF100R07W1H5FPB53BPSA2

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Pièce du fabricant

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
IGBT MOD 650V 40A 20MW
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
30
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:EasyPACK™
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • configuration:2 Independent
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):40 A
  • puissance - maximum:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.55V @ 15V, 25A
  • courant - coupure collecteur (max):40 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:2.8 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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