FS50R07N2E4B11BOSA1

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Pièce du fabricant

FS50R07N2E4B11BOSA1

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IGBT MODULE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
61
Fiches techniques en ligne
FS50R07N2E4B11BOSA1 PDF
Enquête
  • séries:EconoPACK™ 2
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • configuration:Three Phase Inverter
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):70 A
  • puissance - maximum:190 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 50A
  • courant - coupure collecteur (max):1 mA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:3.1 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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