DF200R12W1H3FB11BOMA1

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Pièce du fabricant

DF200R12W1H3FB11BOMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
IGBT MOD 1200V 30A 20MW
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
DF200R12W1H3FB11BOMA1 PDF
Enquête
  • séries:EasyPACK™
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • configuration:Three Phase Inverter
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):30 A
  • puissance - maximum:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.45V @ 15V, 30A
  • courant - coupure collecteur (max):1 mA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:6.15 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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