FAM65HR51DS2

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Pièce du fabricant

FAM65HR51DS2

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT MODULE 650V 33A 135W
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • configuration:Half Bridge Inverter
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):33 A
  • puissance - maximum:135 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:-
  • courant - coupure collecteur (max):-
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:4.86 nF @ 400 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:-
  • paquet de dispositif de fournisseur:-
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