FPF2C110BI07AS2

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Pièce du fabricant

FPF2C110BI07AS2

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
FPF2C110BI07AS2 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • configuration:Half Bridge
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):40 A
  • puissance - maximum:300 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
  • courant - coupure collecteur (max):250 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:-
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:30-DIP Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:F2
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