FF200R12KE3B2HOSA1

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Pièce du fabricant

FF200R12KE3B2HOSA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
IGBT MOD 1200V 295A 1050W
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • configuration:Half Bridge
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):295 A
  • puissance - maximum:1050 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A
  • courant - coupure collecteur (max):5 mA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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