NXH50C120L2C2ES1G

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Pièce du fabricant

NXH50C120L2C2ES1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • configuration:Three Phase Inverter with Brake
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):50 A
  • puissance - maximum:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 50A
  • courant - coupure collecteur (max):250 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:11.89 nF @ 20 V
  • contribution:Three Phase Bridge Rectifier
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • paquet de dispositif de fournisseur:26-DIP
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