FP7G75US60

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Pièce du fabricant

FP7G75US60

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IGBT
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
200
Fiches techniques en ligne
FP7G75US60 PDF
Enquête
  • séries:Power-SPM™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:-
  • configuration:Half Bridge
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):75 A
  • puissance - maximum:310 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 75A
  • courant - coupure collecteur (max):250 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:4.515 nF @ 30 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:EPM7
  • paquet de dispositif de fournisseur:EPM7
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