GSID600A120S4B1

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Pièce du fabricant

GSID600A120S4B1

Fabricant
SemiQ
La description
IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
12
Fiches techniques en ligne
GSID600A120S4B1 PDF
Enquête
  • séries:Amp+™
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • configuration:Half Bridge
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):1130 A
  • puissance - maximum:3060 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 600A
  • courant - coupure collecteur (max):1 mA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:51 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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