A1P50S65M2

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Pièce du fabricant

A1P50S65M2

Fabricant
STMicroelectronics
La description
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
36
Fiches techniques en ligne
A1P50S65M2 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • configuration:Three Phase Inverter
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):50 A
  • puissance - maximum:208 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • courant - coupure collecteur (max):100 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:4150 pF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:ACEPACK™ 1
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