NXH100B120H3Q0STG

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Pièce du fabricant

NXH100B120H3Q0STG

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
24
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • configuration:2 Independent
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):50 A
  • puissance - maximum:186 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • courant - coupure collecteur (max):200 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:9.075 nF @ 20 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
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