W987D2HBJX6E TR

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Pièce du fabricant

W987D2HBJX6E TR

Fabricant
Winbond Electronics Corporation
La description
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
W987D2HBJX6E TR PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type de mémoire:Volatile
  • formatage de la mémoire:DRAM
  • La technologie:SDRAM - Mobile LPSDR
  • taille mémoire:128Mb (4M x 32)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:166 MHz
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
  • temps d'accès:5.4 ns
  • tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
  • température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:90-TFBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:90-VFBGA (8x13)
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