CY14B116M-BZ45XI

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Pièce du fabricant

CY14B116M-BZ45XI

Fabricant
Rochester Electronics
La description
NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 45NS P
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
195
Fiches techniques en ligne
CY14B116M-BZ45XI PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type de mémoire:Non-Volatile
  • formatage de la mémoire:NVSRAM
  • La technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • taille mémoire:16Mb (1M x 16)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:-
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:45ns
  • temps d'accès:45 ns
  • tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:165-LBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (15x17)
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