71V416S10YG8

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Pièce du fabricant

71V416S10YG8

Fabricant
Renesas Electronics America
La description
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
71V416S10YG8 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type de mémoire:Volatile
  • formatage de la mémoire:SRAM
  • La technologie:SRAM - Asynchronous
  • taille mémoire:4Mb (256K x 16)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:-
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
  • temps d'accès:10 ns
  • tension - alimentation:3V ~ 3.6V
  • température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:44-SOJ
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