CY7C1911KV18-300BZC

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Pièce du fabricant

CY7C1911KV18-300BZC

Fabricant
Rochester Electronics
La description
QDR SRAM, 2MX9, 0.45NS, CMOS, PB
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
85
Fiches techniques en ligne
CY7C1911KV18-300BZC PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type de mémoire:Volatile
  • formatage de la mémoire:SRAM
  • La technologie:SRAM - Synchronous, QDR II
  • taille mémoire:18Mb (2M x 9)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:300 MHz
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:-
  • temps d'accès:-
  • tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
  • température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:165-LBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (13x15)
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