TC58BYG1S3HBAI6

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Pièce du fabricant

TC58BYG1S3HBAI6

Fabricant
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
La description
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
338
Fiches techniques en ligne
TC58BYG1S3HBAI6 PDF
Enquête
  • séries:Benand™
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type de mémoire:Non-Volatile
  • formatage de la mémoire:FLASH
  • La technologie:FLASH - NAND (SLC)
  • taille mémoire:2Gb (256M x 8)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:-
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:25ns
  • temps d'accès:25 ns
  • tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:67-VFBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:67-VFBGA (6.5x8)
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Catégorie de produits

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