70T633S10BCI

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Pièce du fabricant

70T633S10BCI

Fabricant
Renesas Electronics America
La description
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
70T633S10BCI PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type de mémoire:Volatile
  • formatage de la mémoire:SRAM
  • La technologie:SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • taille mémoire:9Mb (512K x 18)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:-
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
  • temps d'accès:10 ns
  • tension - alimentation:2.4V ~ 2.6V
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:256-LBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:256-CABGA (17x17)
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