CY7C1370DV25-200BZI

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Pièce du fabricant

CY7C1370DV25-200BZI

Fabricant
Rochester Electronics
La description
ZBT SRAM, 512KX36, 3NS
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
1814
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:NoBL™
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type de mémoire:Volatile
  • formatage de la mémoire:SRAM
  • La technologie:SRAM - Synchronous, SDR
  • taille mémoire:18Mb (512K x 36)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:200 MHz
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:-
  • temps d'accès:3 ns
  • tension - alimentation:2.375V ~ 2.625V
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:165-LBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (13x15)
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