DS1230AB-200IND

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Pièce du fabricant

DS1230AB-200IND

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
118
Fiches techniques en ligne
DS1230AB-200IND PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type de mémoire:Non-Volatile
  • formatage de la mémoire:NVSRAM
  • La technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • taille mémoire:256Kb (32K x 8)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:-
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:200ns
  • temps d'accès:200 ns
  • tension - alimentation:4.75V ~ 5.25V
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • paquet de dispositif de fournisseur:28-EDIP
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