W949D2DBJX5E

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Pièce du fabricant

W949D2DBJX5E

Fabricant
Winbond Electronics Corporation
La description
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
44
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type de mémoire:Volatile
  • formatage de la mémoire:DRAM
  • La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
  • taille mémoire:512Mb (16M x 32)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:200 MHz
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
  • temps d'accès:5 ns
  • tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
  • température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:90-TFBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:90-VFBGA (8x13)
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