NTHS2101PT1G

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Pièce du fabricant

NTHS2101PT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
600000
Fiches techniques en ligne
NTHS2101PT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):8 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.4A (Tj)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:25mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 6.4 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.3W (Ta)
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:ChipFET™
  • paquet / caisse:8-SMD, Flat Lead
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