APT50M80B2VRG

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Pièce du fabricant

APT50M80B2VRG

Fabricant
Microsemi
La description
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:POWER MOS V®
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):500 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:58A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:80mOhm @ 29A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 2.5mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:423 nC @ 10 V
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8797 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):-
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:T-MAX™ [B2]
  • paquet / caisse:TO-247-3 Variant
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