PHU108NQ03LT,127

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Pièce du fabricant

PHU108NQ03LT,127

Fabricant
NXP Semiconductors
La description
MOSFET N-CH 25V 75A IPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
PHU108NQ03LT,127 PDF
Enquête
  • séries:TrenchMOS™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):25 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:75A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:6mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:16.3 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1375 pF @ 12 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):187W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
  • paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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