NVMFS6B85NLT1G

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Pièce du fabricant

NVMFS6B85NLT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
452581
Fiches techniques en ligne
NVMFS6B85NLT1G PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.6A (Ta), 19A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:46mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:7.9 nC @ 10 V
  • vg (max):±16V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:480 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3.5W (Ta), 42W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN, 5 Leads
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