STB10NK60Z-1

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Pièce du fabricant

STB10NK60Z-1

Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
STB10NK60Z-1 PDF
Enquête
  • séries:SuperMESH™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:750mOhm @ 4.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1370 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):115W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I2PAK
  • paquet / caisse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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