IRF6621TR1PBF

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Pièce du fabricant

IRF6621TR1PBF

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
7248
Fiches techniques en ligne
IRF6621TR1PBF PDF
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:12A (Ta), 55A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:9.1mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.25V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:17.5 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1460 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:DIRECTFET™ SQ
  • paquet / caisse:DirectFET™ Isometric SQ
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