CP375-CWDM3011N-CT

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Pièce du fabricant

CP375-CWDM3011N-CT

Fabricant
Central Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Last Time Buy
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:11A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:20mOhm @ 11A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:6.3 nC @ 5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:860 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.5W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:Die
  • paquet / caisse:Die
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