SIS778DN-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SIS778DN-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
26807
Fiches techniques en ligne
SIS778DN-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:35A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:5mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:42.5 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1390 pF @ 15 V
  • fonction fet:Schottky Diode (Body)
  • puissance dissipée (max):52W (Tc)
  • température de fonctionnement:-50°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® 1212-8
  • paquet / caisse:PowerPAK® 1212-8
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