R6015ANZC8

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Pièce du fabricant

R6015ANZC8

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
R6015ANZC8 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:15A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:300mOhm @ 7.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.15V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1700 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):110W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-3PF
  • paquet / caisse:TO-3P-3 Full Pack
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