APT45GR65BSCD10

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Pièce du fabricant

APT45GR65BSCD10

Fabricant
Microsemi
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):118 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):224 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 45A
  • puissance - maximum:543 W
  • énergie de commutation:-
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:203 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:15ns/100ns
  • condition de test:433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):80 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
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