GPA020A120MN-FD

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Pièce du fabricant

GPA020A120MN-FD

Fabricant
SemiQ
La description
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
GPA020A120MN-FD PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):40 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):60 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 20A
  • puissance - maximum:223 W
  • énergie de commutation:2.8mJ (on), 480µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:210 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:30ns/150ns
  • condition de test:600V, 20A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):425 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-3PN
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