GT50J121(Q)

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Pièce du fabricant

GT50J121(Q)

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
GT50J121(Q) PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):50 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 50A
  • puissance - maximum:240 W
  • énergie de commutation:1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:-
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:90ns/300ns
  • condition de test:300V, 50A, 13Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-3PL
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-3P(LH)
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