NGTD28T65F2WP

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Pièce du fabricant

NGTD28T65F2WP

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
NGTD28T65F2WP PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):-
  • courant - collecteur pulsé (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 75A
  • puissance - maximum:-
  • énergie de commutation:-
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:-
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:-
  • condition de test:-
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:Die
  • paquet de dispositif de fournisseur:Die
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