SIGC11T60NCX1SA2

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Pièce du fabricant

SIGC11T60NCX1SA2

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):10 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):30 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 10A
  • puissance - maximum:-
  • énergie de commutation:-
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:-
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:20ns/110ns
  • condition de test:300V, 10A, 27Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:Die
  • paquet de dispositif de fournisseur:Die
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