MS652S

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Pièce du fabricant

MS652S

Fabricant
Microsemi
La description
RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
MS652S PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:NPN
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):16V
  • fréquence - transition:450MHz ~ 512MHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):-
  • Gain:10dB
  • puissance - maximum:25W
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:10 @ 200mA, 5V
  • courant - collecteur (ic) (max):2A
  • température de fonctionnement:200°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:M123
  • paquet de dispositif de fournisseur:M123
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