PMWD26UN,518

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Pièce du fabricant

PMWD26UN,518

Fabricant
NXP Semiconductors
La description
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
PMWD26UN,518 PDF
Enquête
  • séries:TrenchMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:7.8A
  • rds sur (max) @ id, vgs:30mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:700mV @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:23.6nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1366pF @ 16V
  • puissance - maximum:3.1W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-TSSOP
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