HAT2210RWS-E

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Pièce du fabricant

HAT2210RWS-E

Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET N-PAK 8SOP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:2 N-Channel (Dual), Schottky
  • fonction fet:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:7.5A (Ta), 8A (Ta)
  • rds sur (max) @ id, vgs:24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
  • puissance - maximum:1.5W (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SOP
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