APTC90H12T1G

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Pièce du fabricant

APTC90H12T1G

Fabricant
Microsemi
La description
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
APTC90H12T1G PDF
Enquête
  • séries:CoolMOS™
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:4 N-Channel (H-Bridge)
  • fonction fet:Super Junction
  • tension drain-source (vdss):900V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:30A
  • rds sur (max) @ id, vgs:120mOhm @ 26A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 3mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:270nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6800pF @ 100V
  • puissance - maximum:250W
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SP1
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP1
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