APTMC60TLM14CAG

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Pièce du fabricant

APTMC60TLM14CAG

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
APTMC60TLM14CAG PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:4 N-Channel (Three Level Inverter)
  • fonction fet:Silicon Carbide (SiC)
  • tension drain-source (vdss):1200V (1.2kV)
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:219A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:12mOhm @ 150A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 30mA (Typ)
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:483nC @ 20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8400pF @ 1000V
  • puissance - maximum:925W
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SP6
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP6
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